半导体含氟废水及抛光废水处理技术

半导体含氟废水及抛光废水处理技术

节能型功率电子器件用抛光片产业化项目F-25废水处理站
工程地点
津华苑产业区（环外）海泰东路12号
工作范围
总承包（不包括土建施工）
项目起始时间
2008年11月
废水性质
电子废水
工程规模
无机废水480m3/d，含氟废水120m3/d，抛光废水360m3/d，有机废水50m3/d。
设计水质
无机废水SS =400mg/L ，pH=1-11；含氟废水F =1000-3000mg/L，SS=1000mg/L ，pH=2；    抛光废水SS =3000mg/L ，pH=2-10；有机废水COD =5000-10000mg/L ，pH=2-11。
设计出水水质及用途
出水必须达到《天津市污水综合排放标准》三级标准开发区（CODcr =500mg/L；F=20 mg/L，SS=500mg/L）。
主要工艺
无机废水：调节池+中和反应；含氟废水及抛光废水：调节池+中和反应+混凝沉淀，有机废水：外运处理。
工程特点
本工艺处理的废水有无机机废水，含氟废水、抛光废水和有机废水。无机废水废水的pH值超标，故为了减少投资和节约成本，仅通过调节废水的pH后直接排放；含氟废水和抛光废水的区别主要为，含氟废水中含有F离子，而其他指标和抛光废水接近，考虑此情况，故对含氟废水先进行加氯化钙药剂去除F离子，然后和抛光废水混合一起进行混凝沉淀处理；有机废水由于COD值很高，并且难生化处理，考虑到废水量较小，故将有机废水收集后直接外运处理。